SI4965DY-T1-E3分离式半导体产品,现货供应SI4965DY-T1-E3 接受批量订货
- 标准包装:2,500
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:TrenchFET®
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参考价格
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产品属性
标准包装 | 2,500 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 阵列 | 系列 | TrenchFET® |
FET 型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | - |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 8A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 450mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 55nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | - | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |
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