SI4931DY-T1-E3特低价供应， SI4931DY-T1-E3 厂家直销 量大优惠
- 数据列表：SI4931DY
- 标准包装：2,500
- 家庭：FET - 阵列
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参考价格
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产品属性
| 数据列表 | SI4931DY | 标准包装 | 2,500 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.7A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 8.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 350µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 52nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI4931DY-T1-E3TR |
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