SI4435BDY-T1-E3分离式半导体产品，现货供应SI4435BDY-T1-E3 接受批量订货
- 数据列表：SI4435BDY
- 标准包装：2,500
- 家庭：FET - 单
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产品属性
| 数据列表 | SI4435BDY | 标准包装 | 2,500 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 9.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI4435BDY-T1-E3TR |
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