SI3430DV-T1-E3 原装现货供应，环保现货SI3430DV-T1-E3价格优惠
- 数据列表：SI3430DV
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 单
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 3000$0.43067
产品属性
| 数据列表 | SI3430DV | 标准包装 | 3,000 |
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| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
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| 系列 | - | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
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| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.8A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 170 毫欧 @ 2.4A，10V |
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| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 1.14W |
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| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
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| 供应商设备封装 | 6-TSOP | 包装 | 带卷 (TR) |
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| 其它名称 | SI3430DV-T1-E3TR | | |
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北京捷美创芯电子科技有限公司
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