SI2309DS-T1-GE3，现货供应SI2309DS-T1-GE3 接受批量订货
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：P-Channel
产品属性
| 制造商 | Vishay | 产品种类 | MOSFET |
|---|---|---|---|
| 晶体管极性 | P-Channel | 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V | 漏极连续电流 | 1.25 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.34 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-236-3 | 封装 | Reel |
| 栅极电荷 Qg | 5.4 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.25 W | 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | SI2309DS-GE3 |
