SI1900DL-T1，现货供应SI1900DL-T1 接受批量订货
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
产品属性
| 制造商 | Vishay | 产品种类 | MOSFET |
|---|---|---|---|
| 晶体管极性 | N-Channel | 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V | 漏极连续电流 | 0.59 A |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.48 Ohms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-363-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 8 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 270 mW | 上升时间 | 8 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
