特价SI1026X-T1-E3，原厂生成，SI1026X-T1-E3分离式半导体产品原装现货
- 数据列表：SI1026X
- 标准包装：3,000
- 家庭：FET - 阵列
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产品属性
| 数据列表 | SI1026X | 标准包装 | 3,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 30pF @ 25V | 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI1026X-T1-E3TR |
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