特价PHT6N06T，原厂生成，PHT6N06T功率 MOSFET原装现货
- 典型关断延迟时间：7.8 ns
- 典型接通延迟时间：4.9 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：5.6 nC V @ 10
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 10RMB5.95
- 1000RMB0.26
- 200RMB1.64
- 50RMB3.65
- 500RMB0.27
产品属性
| 典型关断延迟时间 | 7.8 ns | 典型接通延迟时间 | 4.9 ns |
|---|---|---|---|
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.6 nC V @ 10 | 典型输入电容值@Vds | 175 pF V @ 25 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 3.7mm |
| 封装类型 | SC-73 | 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm |
| 引脚数目 | 4 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 8300 mW | 最大栅源电压 | ±20 V |
| 最大漏源电压 | 55 V | 最大漏源电阻值 | 0.15 |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A | 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 功率 MOSFET |
| 通道模式 | 增强 | 通道类型 | N |
| 配置 | 双漏极、单 | 长度 | 6.7mm |
| 高度 | 1.7mm |
