PHD101NQ03LT 原装现货供应，环保现货PHD101NQ03LT价格优惠
- 典型关断延迟时间：37 ns
- 典型接通延迟时间：23 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：23 nC V @ 5
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产品属性
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | 典型接通延迟时间 | 23 ns |
|---|---|---|---|
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC V @ 5 | 典型输入电容值@Vds | 2180 pF V @ 25 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 宽度 | 6.22mm |
| 封装类型 | DPAK | 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
| 引脚数目 | 3 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 166000 mW | 最大栅源电压 | 20 V |
| 最大漏源电压 | 30 V | 最大漏源电阻值 | 0.006 |
| 最大连续漏极电流 | 75 A | 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 功率 MOSFET |
| 通道模式 | 增强 | 通道类型 | N |
| 配置 | 单 | 长度 | 6.73mm |
| 高度 | 2.38mm |
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