特价NTJD1155LT1,ON Semiconductor原厂生成,NTJD1155LT1分离式半导体产品原装现货
产品属性
标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 阵列 | 系列 | - |
FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 带卷 (TR) |