MUN5231DW1T1GON Semiconductor特低价供应,ON Semiconductor MUN5231DW1T1G 厂家直销 量大优惠
产品属性
| 标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 | 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)(欧) | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)(欧) | 2.2k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 8 @ 5mA,10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 5mA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 | 包装 | 带卷 (TR) |






