J112G ON Semiconductor原装现货供应，环保现货J112G价格优惠
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 1$0.44
- 10$0.308
- 100$0.2024
- 1000$0.092
- 25$0.2532
- 250$0.1472
- 2500$0.0828
- 500$0.1196
- 5000$0.0782
产品属性
| 标准包装 | 1,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | JFET（结点场效应 | 系列 | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V | 漏极至源极电压(Vdss) | - |
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - | FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V | 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 1V @ 1µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 电阻 - RDS（开） | 50 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 包装 | 散装 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW | 其它名称 | J112G-NDJ112GOS |
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