产品属性
标准包装 | 10 | 类别 | 半导体模块 |
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家庭 | FET | 系列 | HiPerFET™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 150A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 12.5 毫欧 @ 75A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 8mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 360nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9100pF @ 25V |
功率 - 最大 | 600W | 安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC | 供应商设备封装 | SOT-227B |
包装 | 管件 | 其它名称 | Q3181657 |