产品属性
标准包装 | 2,500 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 单 | 系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 600mA,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.3W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) | 供应商设备封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
包装 | 管件 | 其它名称 | *IRLD110 |