产品属性
| 标准包装 | 2,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | FET - 单 | 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.2A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 200 毫欧 @ 4.2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 25W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |






