产品属性
| 数据列表 | IRFBE30S,L | 标准包装 | 1,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2.5A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRFBE30S |







