STMicroelectronics IRF630分离式半导体产品，现货供应IRF630 接受批量订货
- 制造商：STMicroelectronics
- 其它有关文件：IRF630 View All Specifications
- 标准包装：50
- 家庭：FET - 单
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产品属性
| 其它有关文件 | IRF630 View All Specifications | 标准包装 | 50 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MESH OVERLAY™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | 功率 - 最大 | 75W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
| 工具箱 | 497-8004-KIT-ND - KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA | 其它名称 | 497-2757-5 |
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