产品属性
标准包装 | 1 | 类别 | 半导体模块 |
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家庭 | FET | 系列 | - |
FET 型 | 6 N-沟道(3 相桥) | FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 75V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.1 毫欧 @ 200A,15V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 7.3V @ 20mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 1100nC @ 15V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 75000pF @ 10V |
功率 - 最大 | 650W | 安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 | 供应商设备封装 | 模块 |
包装 | 散装 |