Fairchild Semiconductor FDG312P分离式半导体产品，现货供应FDG312P 接受批量订货

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参考价格

产品培训模块	High Voltage Switches for Power Processing	标准包装	3,000
类别	分离式半导体产品	家庭	FET - 单
系列	PowerTrench®	FET 型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门	漏极至源极电压(Vdss)	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	1.2A	开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	180 毫欧 @ 1.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	1.5V @ 250µA	闸电荷(Qg) @ Vgs	5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds	330pF @ 10V	功率 - 最大	480mW
安装类型	表面贴装	封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装	SC-70-6	包装	带卷 (TR)
其它名称	FDG312P-NDFDG312PTR

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