CMF20120D分离式半导体产品,现货供应CMF20120D 接受批量订货
- 产品培训模块:1200V SiC Mosfet Overview
- 视频文件:Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
- 标准包装:30
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 1$33.33
- 100$32.05
- 500$31.25
产品属性
产品培训模块 | 1200V SiC Mosfet Overview | 视频文件 | Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment |
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标准包装 | 30 | 类别 | 分离式半导体产品 |
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家庭 | FET - 单 | 系列 | Z-FET™ |
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FET 型 | SiCFET N 通道,碳化硅 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 33A |
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 20A,20V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
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闸电荷(Qg) @ Vgs | 90.8nC @ 20V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1915pF @ 800V |
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功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 通孔 |
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封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商设备封装 | TO-247-3 |
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包装 | 管件 | | |
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