BSS63LT1G ON Semiconductor原装现货供应,环保现货BSS63LT1G价格优惠
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 15000$0.02975
- 150000$0.02275
- 3000$0.04025
- 30000$0.028
- 6000$0.035
- 75000$0.02625
产品属性
| 标准包装 | 3,000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 | 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 2.5mA,25mA |
| 电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 25mA,1V |
| 功率 - 最大 | 225mW | 频率 - 转换 | 95MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSS63LT1G-NDBSS63LT1GOSTR |






