BSM100GB120DN2K 原装现货供应,环保现货BSM100GB120DN2K价格优惠
参考价格
- 数量单价USD批量价USD
- 1¥764.38
- 10¥688.34
- 5¥726.36
产品属性
| 制造商 | Infineon | 产品种类 | IGBT 模块 |
|---|---|---|---|
| 产品 | IGBT Silicon Modules | 配置 | Half Bridge Module |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V | 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 145 A | 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 功率耗散 | 700 W | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | Half Bridge1 | 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 安装风格 | Screw | 工厂包装数量 | 500 |








