产品属性
| 数据列表 | BSC079N03S G | 标准包装 | 5,000 |
|---|---|---|---|
| 类别 | 分离式半导体产品 | 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 40A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.9 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 30µA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2230pF @ 15V | 功率 - 最大 | 60W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSC079N03SGINTRBSC079N03SGXTBSC079N03SGXTINTRBSC079N03SGXTINTR-NDSP000016414 |
