IR国际整流器 IRF530NPBF原装 N沟道功率场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | IRF530NPBF | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
标准包装：50
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：37nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：920pF @ 25V
功率 - ：70W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：TO-220AB
包装：管件
其它名称：*IRF530NPBF
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