价 格: | 面议 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | IRFP32N50 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
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典型关断延迟时间 | 48 ns | |
典型接通延迟时间 | 28 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 190 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 5280 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 5.31mm | |
封装类型 | TO-247AC | |
尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm | |
引脚数目 | 3 | |
工作温度 | -55 °C | |
功率耗散 | 460 W | |
栅源电压 | ±30 V | |
漏源电压 | 500 V | |
漏源电阻值 | 0.16 | |
连续漏极电流 | 32 A | |
工作温度 | 150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 15.87mm | |
高度 | 20.7mm |
dzsc/19/3192/19319212.jpg 制造商:AVX 产品种类:钽质电容器-固体SMD RoHS:dzsc/19/3192/19319212.jpg详细信息 电容:47 uF 电压额定值:20 V ESR:0.9 Ohms 容差:20 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:3.1 mm 制造商库存号:D Case 工作温度范围:- 55 C to 125 C 系列:TAJ 产品:Tantalum Solid Standard Grade - Other Various 封装:Reel 尺寸:4.3 mm W x 7.3 mm L 损耗因数 DF:6 漏泄电流:9.4 uA 封装 / 箱体:2917 (7343 metric) 包装数量:500 端接类型:SMD/SMT 零件号别名:TAJD476M020R"
dzsc/19/3327/19332750.jpg产品技术参数安装类型表面贴装宽度1.5mm封装类型SOD-323尺寸1.05 x 1.95 x 1.5mm峰值反向回复时间4ns峰值反向电流0.1mA峰值反向重复电压100V峰值正向电压1.2V峰值非重复正向浪涌电流0.00035kA引脚数目2整流器类型切换工作温度-65 °C连续正向电流0.15A工作温度 150 °C配置单长度1.95mm高度1.05mm