价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | IR美国国际整流器公司/IRF3205 | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
跨导: | 44000(μS) | |
极间电容: | 211(pF) | |
漏极电流: | 110000(mA) | |
耗散功率: | 200000(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可
•工作温度范围:-55 ~ 175 °C
•
IRF3205 | 基本型号 | IRF3205 主要参数VDSS | 55 V | ID@25℃ | 110 A | RDS(on)Max | 8.0 mΩ | Qg Typ | 97.3 nC | 封装信息IRF3205封装信息:类型:TO-220AB引脚:3 直引脚
适用于:开关电源,充电器,镇流器 •封装类型:TO-92 •VDS=600V •ID= 0.4A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 8.5Ω @ VGS = 10V •耗散功率:2.5W •工作温度范围:-55 ~ 150°C
Features• 8.0 A, 900V, RDS(on) = 1.4 Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 45nC)• Low Crss ( typical 14pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability•耗散功率:205W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:50ns•关断延迟时间:100ns