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IR原装MOS——LRF3205

价 格: 面议
品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRF3205
种类:绝缘栅MOSFET
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
跨导:44000(μS)
极间电容:211(pF)
漏极电流:110000(mA)
耗散功率:200000(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 

TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可

 

•工作温度范围:-55 ~ 175 °C

产品简介IRF3205,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 55V, 110A, 8.0 mOhm, 97.3 nC Qg, TO-220AB型号标识 / 参数IRF3205型号标识及主要参数:IRF3205 型号标识IRF3205 主要参数封装信息IRF3205封装信息:类型:TO-220AB引脚:3 直引脚包装规格IRF3205包装规格:类型:Tube(管装)每管:50 pcs
IRF3205基本型号VDSS55 VID@25℃110 ARDS(on)Max8.0 mΩQg Typ97.3 nC

上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

适用于:开关电源,充电器,镇流器 •封装类型:TO-92 •VDS=600V •ID= 0.4A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 8.5Ω @ VGS = 10V •耗散功率:2.5W •工作温度范围:-55 ~ 150°C

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仙童原装FQP9N90C

信息内容:

Features• 8.0 A, 900V, RDS(on) = 1.4 Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 45nC)• Low Crss ( typical 14pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability•耗散功率:205W•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:50ns•关断延迟时间:100ns

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