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IR 原装音频MOS——IRFS5615PBF

价 格: 面议
品牌/型号:IR美国国际整流器公司/IRFS5615PBF
种类:结型JFET
用途:NF/音频低频
封装外形:SMDSO/表面封装
开启电压:5(V)
夹断电压:20(V)
跨导:35000(μS)
极间电容:1750(pF)
漏极电流:33000(mA)
耗散功率:144000(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型

 •导通电阻:RDS(on) max=42mΩ

 •工作温度范围:-55 ~ 175°C

 •封装形式:TO-252

 •VDS=150V

 •ID=33A

 •Trr=120ns

 

 

上海贝臣电子有限公司
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信息内容:

TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可 •工作温度范围:-55 ~ 175 °C•产品简介IRF3205,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 55V, 110A, 8.0 mOhm, 97.3 nC Qg, TO-220AB型号标识 / 参数IRF3205型号标识及主要参数:IRF3205 型号标识IRF3205基本型号IRF3205 主要参数VDSS55 VID@25℃110 ARDS(on)Max8.0 mΩQg Typ97.3 nC封装信息IRF3205封装信息:类型:TO-220AB引脚:3 直引脚包装规格IRF3205包装规格:类型:Tube(管装)每管:50 pcs

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