价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | IR美国国际整流器公司/IRFS5615PBF | |
种类: | 结型JFET | |
用途: | NF/音频低频 | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 35000(μS) | |
极间电容: | 1750(pF) | |
漏极电流: | 33000(mA) | |
耗散功率: | 144000(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
•导通电阻:RDS(on) max=42mΩ
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-252
•VDS=150V
•ID=33A
•Trr=120ns
TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可 •工作温度范围:-55 ~ 175 °C•产品简介IRF3205,Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 55V, 110A, 8.0 mOhm, 97.3 nC Qg, TO-220AB型号标识 / 参数IRF3205型号标识及主要参数:IRF3205 型号标识IRF3205基本型号IRF3205 主要参数VDSS55 VID@25℃110 ARDS(on)Max8.0 mΩQg Typ97.3 nC封装信息IRF3205封装信息:类型:TO-220AB引脚:3 直引脚包装规格IRF3205包装规格:类型:Tube(管装)每管:50 pcs
适用于:开关电源,充电器,镇流器 •封装类型:TO-92 •VDS=600V •ID= 0.4A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 8.5Ω @ VGS = 10V •耗散功率:2.5W •工作温度范围:-55 ~ 150°C