IR原装功率MOS——IRF540NL
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | IR美国国际整流器公司/IRF540NL | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 跨导： | 21000（μS） | |
| 极间电容： | 1960（pF） | |
| 漏极电流： | 33000（mA） | |
| 耗散功率： | 130000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
•封装形式：TO-262
•导通电阻：RDS(ON)=44mΩ
•栅极电荷量：QGD=21nC
• 反向恢复时间：Trr=170nS
•漏极电流：ID=33A @ TC=25°C
•漏源电压：VDSS=150V
•工作温度范围：-55 ~ 175°C
上海贝臣电子有限公司
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