价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | IR美国国际整流器公司/IRL530NLPBF | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 2(V) | |
跨导: | 7700(μS) | |
极间电容: | 800(pF) | |
漏极电流: | 17000(mA) | |
耗散功率: | 79000(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 |
•封装形式:TO-262
•导通电阻:RDS(ON)=100mΩ
•栅极电荷量:QGD=20nC
• 反向恢复时间:Trr=210nS
•漏极电流:ID=17A @ TC=25°C
•漏源电压:VDSS=100V
•工作温度范围:-55 ~ 175°C
•封装形式:TO-262•导通电阻:RDS(ON)=44mΩ•栅极电荷量:QGD=21nC• 反向恢复时间:Trr=170nS•漏极电流:ID=33A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C
适用于:开关电源,录像机SVR,机顶盒,DVD,适配器等 •针脚数:4•封装形式:TO-220F-4L•开启延迟时间: 40ns•关断延迟时间:150ns•耗散功率:75W•击穿电压:800V