IR 原装功率MOS——IRFP140N
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | IR美国国际整流器公司/IRFP140N | |
| 种类： | 结型JFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 跨导： | 11000（μS） | |
| 极间电容： | 1400（pF） | |
| 漏极电流： | 33000（mA） | |
| 耗散功率： | 140000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
•导通电阻：RDS(on) max=52mΩ
•工作温度范围：-55 ~ 175°C
•封装形式：TO-247AC
•VDS=100V
•ID=33A
•Trr=250ns
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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信息内容：适用于：LED,TV,开关电源，PFC等• 封装形式：TO-251• VDS = 400V• ID = 2.0A @ VGS = 10V• RDS(ON) ≤ 3.4Ω @ VGS = 10V • 工作温度范围：-55 ~ 150°C
长期供应ST原装VND600SP
信息内容：驱动芯片类型:高压侧模块配置:高压侧输出电流 峰值:40A输入延迟:30µs输出延时:30µs电源电压范围:5.5V 到 36V封装类型:PowerSO针脚数:10工作温度范围:-40°C 到 150°CSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:PowerSOIC功耗, Pd:96.1W号输出通道:2器件标号:600电源电压 :36V电源电压 最小:5.5V表面安装器件:表面安装输出电流:40A通道配置:2/2
