IR原装MOS ——IRF630N
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | IR美国国际整流器公司/IRF630N | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 夹断电压： | 20（V） | |
| 跨导： | 4900（μS） | |
| 极间电容： | 575（pF） | |
| 漏极电流： | 9300（mA） | |
| 耗散功率： | 82000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
•导通电阻：RDS(on) = 0.3Ω
•封装形式：TO-220AB
•VDS=200V
•ID=9.3A @TC=25°C
•PD=82W @TC=25°
•工作温度范围: -55 ~ 175°C
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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