供应 IGBT SGD04N60 K4N60 G04N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | SGD04N60,252,IGBT,600V,4.9A,不带二极 AK4N60LV,252,IGBT,600V,4A | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 极间电容： | 317 | |
| 漏极电流： | 9.4A |
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K4N60LV,252,IGBT,600V,4A
SGD04N60,252,IGBT,600V,4.9A,不带二极 Fast IGBT in NPT-technology
• 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses
• Short circuit withstand time – 10 µs
• Designed for:
- Motor controls
- Inverter
• NPT-Technology for 600V applications offers:
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behaviour
- parallel switching capability
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC for target applications
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- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 SSU2N60B SSU2N60 2N60
信息内容：dzsc/18/8765/18876575.jpgSSU2N60B,MOS,600V,1.8A,5Ω,251
场效应管 PHX7NQ60E PHX7NQ60
信息内容：产品型号:PHX7NQ60E封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):7源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):37输入电容Ciss(PF):1130 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：10.5单脉冲雪崩能量EAS(mJ):316导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.上升时间Tr(ns):20 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):40 typ.下降时间Tf(ns):20 typ.温度(℃): -55 ~150描述:600V,7A N-沟道增强型场效应晶体管产品特点： 非常快速的开关 塑料封装 低内阻应用范围： DC到DC转换器 交换式电源供应 电子镇流器 T.V.和电脑显示器的电源。如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
