ENJ2005-C晶体管图示仪
系统特征：
● IV曲线显示/局部放大
● 程序保护电流/电压,以损坏
● 品种繁多的曲线
● 可编程的数据点对应
● 增加线性或对数
● 可编程延迟时间可减少器件发热
● 保存和重新导入入口程序
● 保存和导入之前捕获图象
● 曲线数据直接导入到EXCEL
● 曲线程序和数据自动存入EXCEL
● 测试范围广（19大类、27分类）
曲线测试：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE tt）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
测试参数：
漏电参数：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、IC、IGF、IGR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO、BVC(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数：hFE、R、gFS
导通参数：VCAT、VBAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH+、IH-
锁定参数：IL、IL+、IL-
混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数：IL
配置规格：
配置 | 规格/环境 | ||
主电压 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280（mm） |
电压分辨率 | 1mV | 质 量 | 35kg |
主电流 | 0.1nA-50A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 | 100A | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 | 0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试 | 0.2%+2L | 通信接口 | RS232 U |
测试速度 | 0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围：
01 | 二管 / DIODE |
02 | 晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型场效应管 / J-FET |
04 | MOS场效应管 / MOS-FET |
05 | 双向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 缘栅双大功率晶体管 / IGBT |
08 | 硅触发可控硅 / STS |
09 | 达林顿阵列 / DARLINTON |
10 | 光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 继电器 / RELAY |
12 | 稳压、齐纳二管 / ZENER |
13 | 三端稳压器 / REGULATOR |
14 | 光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 | |
