SITIME高频MEMS温控振荡器80-220MHz，SiT5004

　　MEMS温控振荡器SiT5004参数：

　　频率范围（MHz）：80-220 MHz

　　工作频率稳定性（PPM）：±0.5

　　相位抖动（12 kHz to 20 MHz）：< 1ps （max.）， 0.5ps （typical）

　　Pull Range（PPM）：±12.5, ±25, ±50

　　工作电压（V）：1.8、2.5V、3.3V

　　工作温度（℃）： -20 to +70、-40 to +85

　　封装（mm）： 3.2 x 2.5, 5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 mm

　　什么是贴片晶振

　　贴片晶振即SMD晶振，是采用表面贴装技术制造封装的微小型化无插脚晶体振荡器，具有体积小，焊接方便，效率高等特点，在电子消费产品中十分常见。贴片晶振常用于手机， 电脑周边数码相机，MP3,U盘等高新技术产业。

　　贴片晶振的主要参数

　　总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的偏差。总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。

　　频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线。曲线中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

　　开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5 分钟）的频率到开机后另一段时间（如1 小时）的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。

　　频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的变化率（如±10ppb/天，加电72 小时后），或规定的时限内的总频率变化（如：±1ppm/（前列年）和±5ppm/（十年））来表示。

　　短稳：短期稳定度，观察的时间为1 毫秒、10 毫秒、100 毫秒、1 秒、10 秒。晶振的输出频率受到内部电路的影响（晶体的Q 值、元器件的噪音、电路的稳定性、工作状态等）而产生频谱很宽的不稳定。测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。相位噪音也同样可以反映短稳的情况（要有专用仪器测量）。

　　重现性：定义：晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间t1（如24 小时），开机一段时间t2（如4 小时），测得频率f1,再停机同一段时间t1,再开机同一段时间t2,测得频率f2.重现性=（f2-f1）/f2.

　　频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的小峰值改变量。

　　频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。

我公司产品通过维库现货，请放心购买：

 有问必答：

1、一旦量产，交货周期是否会出现问题？

答：由于采用芯片工艺，原厂每1个8寸Wafer可以切出5万只晶振，可想而知。您的用量相对于我们的WAFER量，实在是小的。

2、我用的频率比较偏，是否可以提供？

答： 没有问题，因为我们的晶振是可编程，任意频点都可以满足。

3、MEMS硅晶振目前能够提供什么样的产品？

答：MEMS硅晶振目前可提供，普通四脚单端振荡器、压控振荡器、差分振荡器、温补振荡器、低功耗振荡器、时钟发生器等所有时钟组件产品。

4、MEMS硅晶振与石英晶振在使用方面有什么区别吗？

答：MEMS硅晶振与石英晶振是PIN TO PIN的封装，在使用上没有任何区别，无需任何设计更改，可直接替换。

5、MEMS硅晶振现在应用在哪些行业？

答：SiTime 公司的MEMS硅晶振现在大量应用在通讯、消费、工业、网通、安防等所有电子行业，拥有包括：Apple、Motorola、SONY、Panasonic、Foxconn（富士康）、三菱在内的数万家客户。

公司地址：

广东深圳公司：广东省深圳市福田区中航路鼎城国际大厦2013-2014室

门市部：广东省深圳市福田区中航路鼎城国际大厦2013-2014室

　　【扬兴咨询】每一款晶振都是的

　　世界上没有两片完全相同的树叶，也没有完全相同的两个人。所以，每一款晶振都是独特的、的，晶振的规格、封装、频率、等不一样，晶振肯定也就不一样了，尽管有时候这种差别微乎其微。

　　设计带有睡眠唤醒的系统需要特别注意，一个高可靠性的系统设计，晶体的选择非常重要，尤其设计带有睡眠唤醒的系统。在振荡回路中，晶体既不能过激励（容易振到高次谐波上）也不能欠激励（不容易起振）。晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励功率，温度特性，长期稳定性。

　　每一款晶振都是的，因为每一种晶振都有各自的特性，温馨提示：所以按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

　　在许可范围内，电容C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。

　　应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。