技术参数：
▲SiT8503可编程振荡器优势：
● 性能提升25倍，成本下降10%;
● 100%直接替代石英，可直接在电路板上焊接；
● 半导体工艺，半导体质量， 无温漂、永不停振！
● 200-1000KHZ任一频点可编程，到小数点后六位；
● 任一频点，均可提供7050、5032、3225、2520封装；
● 数万家客户，涉及各行各业的应用；
SiTime高性能振荡器与石英振荡器相比，有以下几个方面特点：
1、 集成了温度补偿电路，全温度范围无温漂，-40℃-85℃全温保证；
2、 平均无故障工作时间（MFTB）长达5亿小时！
3、 低抖动、低功耗、耐高温、高压、高湿、抗震性能好
4、 支持1-800MHZ任一频点，致小数点后5位输出。（如：65.53500MHz）。
5、 支持1.8V、2.5V、2.8V、3.3V多种工作电压匹配！
6、 支持±10PPM、±20PPM、±25PPM、±30PPM、±50PPM等各种匹配！
7、 国际标准QFN封装：7050、5032、3225、2520
8、 无需任何PCB设计，直接替代板上石英组件；
基本参数描述
频率准确度：在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变，晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的允许偏差，即（fmax-fmin）/f0;
温度稳定度：其他条件保持不变，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；
频率调节范围：通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。
调频（压控）特性：包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。
①调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的值变化到小值时输出频率差。
②调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。
③调频线性度：是一种与理想直线（小二乘法）相比较的调制系统传输特性的量度。
负载特性：其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的允许频偏。
电压特性：其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的允许频偏。
杂波：输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。
谐波：谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。
频率老化：在规定的环境条件下，由于元件（主要是石英谐振器）老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。通常用某一时间间隔内的频差来量度。对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率（单位时间内的相对频率变化）来量度。
日波动：指振荡器经过规定的预热时间后，每隔一小时测量，连续测量24小时，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0式计算，得到日波动。
开机特性：在规定的预热时间内，振荡器频率值的变化，用V=（fmax-fmin）/f0表示。
相位噪声：短期稳定度的频域量度。用单边带噪声与载波噪声之比£（f）表示，£（f）与噪声起伏的频谱密度Sφ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关，由下式表示：
f2S（f）=f02Sy（f）=2f2£（f）
f-傅立叶频率或偏离载波频率；f0-载波频率。