种类:角度 材料:混合物
材料物理性质:半导体 材料晶体结构:非晶
制作工艺:集成 输出信号:模拟型
防护等级:- 线性度:0.1°~1°（%F.S.）
迟滞:-（%F.S.） 重复性:0.1°~1°（%F.S.）
灵敏度:- 漂移:-
分辨率:0.01°~0.1°
KMT32B磁场角度传感器
KMT32B磁场角度传感器基于磁阻效应工作原理，其部分采用一片特殊金属材料，其电阻值随磁场的变化而变化，从而实现对外界磁场的测量。
KMT32B磁场角度传感器具有无接触角度定位，SMD封装，设计线性优化，低成本，高，宽工作温度范围（-40到+150，+160℃），低功耗，符合RoHS,适合恶劣环境，达到30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。
KMT32B品 牌：HL Planar
KMT32B封 装：TDFN2.5X2.5，SO8
KMT32B类 型：角度传感器
KMT32B量 程：180°
KMT32B度：0.1°~1°（典型值）
KMT32B输 出：频率输出
KMT32B供电电源：5V
KMT32B工作温度：-40℃~+150℃（175℃可选）
KMT32B电气连接：PC板安装
KMT32B特 点：霍尔效应，高，高分辨率，-160℃环境温度
KMT32B典型应用： 转向器位置，流量表，转速表，角编码器，电动机，方向舵
材料物理性质:半导体 材料晶体结构:非晶
制作工艺:集成 输出信号:模拟型
防护等级:- 线性度:0.1°~1°（%F.S.）
迟滞:-（%F.S.） 重复性:0.1°~1°（%F.S.）
灵敏度:- 漂移:-
分辨率:0.01°~0.1°
KMT32B磁场角度传感器
KMT32B磁场角度传感器基于磁阻效应工作原理，其部分采用一片特殊金属材料，其电阻值随磁场的变化而变化，从而实现对外界磁场的测量。
KMT32B磁场角度传感器具有无接触角度定位，SMD封装，设计线性优化，低成本，高，宽工作温度范围（-40到+150，+160℃），低功耗，符合RoHS,适合恶劣环境，达到30000RPM高旋转速度等特点。典型应用于角度测量，马达控制，机器人，相机定位，汽车，可取代电位器等行业领域。
KMT32B品 牌：HL Planar
KMT32B封 装：TDFN2.5X2.5，SO8
KMT32B类 型：角度传感器
KMT32B量 程：180°
KMT32B度：0.1°~1°（典型值）
KMT32B输 出：频率输出
KMT32B供电电源：5V
KMT32B工作温度：-40℃~+150℃（175℃可选）
KMT32B电气连接：PC板安装
KMT32B特 点：霍尔效应，高，高分辨率，-160℃环境温度
KMT32B典型应用： 转向器位置，流量表，转速表，角编码器，电动机，方向舵
