- 品牌/商标:北京恒奥德仪器仪表
- 企业类型:制造商
- 新旧程度:全新
- 原产地:北京恒奥德仪器仪表有限公司
目视熔点仪 型号;HA-WRR
特点:
测定晶体物资的熔点以确定其纯度。主要用于药物、染料、香料等晶体有机化合物熔点之测定。测量方法完全符合药典标准。可同时测三根样品,自动计算初、终熔平均值。采用LED作为照明光源,持久耐用,一目了然. 可以测有色颜色偏深样品。直接观察熔化过程,是按药典规定的熔点检测方法而设计.
主要技术参数:
熔点测量范围:40-280℃
熔点显示小示值:0.1℃
线性升温速率:0.5, 1.0, 1.5, 3.0(℃/min)
测量温度准确率:<200℃时:±0.5℃ ≥200℃时:±0.8℃
重复性(偏差):0.3℃
质量:12.5kg
2.
汽车专用 汽车示波器 型号:QC-MT3500A/B
设备型号:QC-MT3500A(2通道)
设备型号:QC-MT3500B(4通道)
适用范围:发动机二次点火分析,发动机传感器信号测试,各类电子信号测试。
功能简介:
各类信号波形测试;
二次点火波型测试及分析;
数字电表功能;
配置描述:
QC-MT3500A
双通道示波测试;
双通道数字电表功能;
双通道二次点火测试;
标配仪器手提包一个;
可选配独立点火测试附件;
可选配穿剌测试夹。
QC-MT3500B
双通道示波测试;
双通道数字电表功能;
四通道二次点火测试;
标配四通道独立点火测试附件;
标配仪器手提箱一个;
可选配穿剌测试夹。
3.
四探针电阻率测试仪/四探针电阻率仪/方阻测试仪/方阻仪/四探针电阻率测定仪(自动测试台+带软件) 型号:KDK-KDY-1
四探针电阻率/方阻测试仪(以下简称电阻率测试仪)是用来测量半导体材料(主要是硅单晶、锗单晶、硅片)电阻率,以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻的测量仪器。它主要由电气测量部份(简称:主机)、测试架及四探针头组成。
本仪器的特点是主机配置双数字表,在测量电阻率的同时,另一块数字表(以万分之几的)适时监测全程的电流变化,免除了测量电流/测量电阻率的转换,更及时掌控测量电流。主机还提供为0.05%的恒流源,使测量电流高度稳定。本机配有恒流源开关,在测量某些箔层材料时,可免除探针尖与被测材料之间接触火花的发生,更好地保护箔膜。仪器配置了本公司的产品:“小游移四探针头”,探针游移率在0.1~0.2%。保证了仪器测量电阻率的重复性和准确度。本机如加配HQ-710E数据处理器,测量硅片时可自动进行厚度、直径、探针间距的修正,并计算、打印出硅片电阻率、径向电阻率的百分变化、平均百分变化、径向电阻率不均习庋。给测量带来很大方便。
2、主机技术能数
(1)测量范围:
可测电阻率:0.0001~19000Ω?cm
可测方块电阻:0.001~1900Ω?□
(2)恒流源:
输出电流:DC 0.001~100mA 五档连续可调
量程:0.001~0.01mA
0.01~0.10mA
0.10~1.0mA
1.0~10mA
10~100mA
恒流:各档均低于±0.05%
(3)直流数字电压表:
测量范围:0~199.99mV
灵敏度:10μV
基本误差:±(0.004%读数+0.01%满度)
输出电源:≥1000ΩM
(4)供电电源:
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:12W
(5)使用环境:
温度:23±2℃ 相对湿度:≤65%
无较强的电场干扰,无强光直接照射
(6)重量、体积:
主机重量:7.5kg
体积:365×380×160(单位:mm 长度×宽度×高度)
备注:
等级测量时(测电阻率),<3%
电气测量时(测电阻),在0.3%以内
备注:
仪器包括:主机一台;测试架(包括台面)一个;四探针头1个;软件
4.
便携式四探针电阻率测试仪 四探针电阻率测试仪 四探针电阻率检测仪 四探针电阻率测定仪 型号:KDK-KDY-1A
概述
便携式电阻测度仪是用来测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。
本仪器按照半导体材料电阻率的国际及国家标准测试方法有关规定设计。
它主要由电器测量部份(主机)及四探头组成,需要时可加配测试架。
为减小体积,本仪器用同一块数字表测量电流及阻率。样品测试电流由高精宽的恒流源提供,随时可进行校准,以确保电阻率测量的准确度。因此本仪器不仅可以用来分先材料也可以用来作产品检测。对1~100Ω?cm标准样片的测量瓿差不超过±3%,在此范围内达到国家标准机的水平。
测量范围:
可测量 电阻率:0.01~199.9Ω?cm。
可测方块电阻:0.1~1999Ω/口
当被测材料电阻率≥200Ω?cm数字表显示0.00。
(2)恒流源:
输出电流:DC 0.1mA~10mA分两档
10mA量程:0.1~1mA 连续可调
10mA量程:1mA ~10mA连续可调
恒流:各档均优于±0.1%
适合测量各种厚度的硅片
(3) 直流数字电压表
测量范围:0~199.9mv
灵敏度:100μv
准确度:0.2%(±2个字)
(4) 供电电源:
AC:220V ±10% 50/60HZ 功率8W
(5) 使用环境:
相对湿度≤80%
(6) 重量、体积
重量:2.2 公斤
体积:宽210×高100×深240(mm)
(7)KD探针头
压痕直径:30/50μm
间距:1.00mm
探针合力:8±1N
针材:TC
5.
单晶少子寿命测试仪 少子寿命测试仪 型号:GZ-LT-2
GZ-LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。 | ||||||||||||||||||||||||
本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
技 术 指 标 : | ||||||||||||||||||||||||
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