产品参数:
类型: 存储器
存储容量: 1M
型号: GLS29EE010-70-4C-PHE
批号: 2010
用途: 电子琴
品牌: GLS=SST
针脚数: 32
封装: DIP32
存储器类型 Parallel Flash
速度 70NS
工作电压 4.5~5.5V
封装-箱体 550
封装 DIP32
存储容量 1 Mbit
小温度范围 0℃
工作温度 +70℃
flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.
Flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来Flash代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码,或者直接当硬盘使用(U盘)。
目前Flash主要有两种RFlash和NANDFlash.RFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在RFLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NANDFlash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以读取一块的形式来进行的,通常是读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码,因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外,还加上了一块小的RFlash来运行启动代码。
一般小容量的用RFlash,因为其读取速度快,多用来存储操作系统等重要信息,而大容量的用NANDFLASH,常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘”,可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel,AMD,Fujitsu和Mxic,而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung,Toshiba和Hynix.
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