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BJ2990 MOS管参数测试仪
| 价 格： | 电议 | |
| 型 号： | BJ2990 |
|
| 企业类型: | 制造商 | |
| 新旧程度: | 全新 | |
| 说明书下载 ： | BJ2990 MOS管参数测试仪 |
本仪器可对N沟道及P沟道大功率MOS场效应晶体管的主要技术参数进行测量。在测量注入可高达10A电流时的gm及RDS(on) 等晶体管图示仪无法检测的参数时，采用了国际电工委员会（IEC）所规定的脉冲法进行测量，有效地避免了被测器件的发热所引起的参数漂移和被测器件的破坏。
技术指标：
（1）栅源截止电压VGS(off)：0～±12V
（2）栅源阈值电压VGS(th) ：0～±12V
（3）漏源短路时的栅源击穿电压V(BR)GSS：0～±1000V
（4）漏源击穿电压V(BR)DS：0～±1000V
（5）漏源短路时的栅极截止电流IGSS：1μA～100mA
（6）零栅压时的漏极电流IDSS：1μA～100mA
（7）静态漏源通态电阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）
（8）低频跨导gm：1mS～100S (VDS=12V, ID=0～10A脉冲测试)
供应商
精品推荐
JK9610A场效应管测试仪
信息内容：功率场效应管测试仪/MOS管测试仪 /MOS管分选仪/MOS管配对仪 深圳JK9610A场效应管测试仪 上海JK9610A场效应管测试仪 常州JK9610A场效应管测试仪 JK9610A场效应管测试仪价格 JK9610A场效应管测试仪销售 JK9610A场效应管测试仪参数 JK9610A场效应管测试仪报价 一、概述 JK9610A型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围：1—100 。 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。 四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。 测试实例 型号 击穿电压 Vdss 开启电压 Vgs(th) 跨导S Gfs Gfs 测试电流 标称电流 ID 标称功率 PD 封装 IRF640 基本参数 200V 2-4V ≥6.8 11A 18A 150W TO-220 实测参数 225V 3.0V 12 11A IRF1010 基本参数 60V 2-4V ≥69 50A 84A 200W TO-220 实测参数 66V 3.2V 67 50A IRF3205 基本参数 55V 2-4V ≥44 62A 110A 200W TO-220 实测参数 60V 2.9V 68 60A FQP70N08 基本参数 80V 2-4V 41 35A 70A 155W TO-220 实测参数 86V 3.2V 46 35A 75NF75 基本参数 75V 2-4V 20 40A 80A 300W TO-220 实测参数 81V 3.6V 52 40A IRFP064 基本参数 55V 2-4V ≥42 59A 110A 200W TO-3P 实测参数 67V 2.5V 57 60A 2SK1120 基本参数 1000V 2.5-5V 4 4A 8A 150W TO-3P 实测参数 1086V 2.3V 5 4A G160N60 基本参数 600V 3.5-6.5V * 80A 160A 250W TO-247 实测参数 626V 3.9V 35 60A H40T120 基本参数 1200V 5-6.5V 21 40A 75A 270W TO-247 实测参数 1390V 5.7V 20 40A 60N170D 基本参数 1700V 3.5-7.5V 60A 200W TO-247 实测参数 1798V 4.8V 30 60A JK9610AMOS管测试盒
惠州MOS-1型功率场效应管测试仪
信息内容：一、概述 MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围：1—100 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。
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