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| 价 格: | 电议 | |
| 型 号: | BC3193 |
|
| 品牌/商标: | 励芯泰思特 | |
| 企业类型: | 制造商 | |
| 新旧程度: | 全新 | |
| 原产地: | 北京 | |
| 说明书下载 : | MOS管测试仪 BC3193 |
产品简介
BC3193半导体分立器件测试系统
测试系统用途及主要测试对象:二极管,三极管,可控硅,场效应管,(IGBT)绝缘栅双极三极管,达林顿矩阵,单结晶体管,光敏二极管,光敏三极管,光电耦合器,固态继电器等,DC/DC模块参数测试仪,MOS测试仪,三极管开关时间测试仪。
二极管及整流桥:VR、IR、VF、VZ、HVZ、动态阻抗。
三极管:BVCBO、BVCEO、BVCER、BVCES、BVEBO、ICBO、ICEO、ICER、ICES、IEBO、VCES、VBES、HFE.
可控硅:IGT、IH、IL、VGT、VON、BVAKF、BVAKR、BVAKO、IAKF、IAKR.
场效应管:BVDSS、BVDSR、BVDSO、BVDGO、BVGSO、BVGSS、IDSS、IDSO、IGDO、IGSO、IDSR、VGS、VDS、VTH、gm.
达林顿管:VCESAT、ICEO.R.S、IEBO、HFE、VBESAT、BVCEO.IGBT、BVCGR、BVGES、TGES、VCEST、VGETH.
光电耦合器:VF、IR、BVR、BVCEO、ICEO、CTR、VCESAT.
*测试系统可对器件测试结果进行存储和打印。
*测试原理符合相应的国家标准,国家军用标准和行业标准。
*采用脉冲法测试功率参数,符合国军标并有效的抑制测试温生。
*采用Kelvin测试原理,排除线路电阻及接触电压,使大电流的参数测试更准。
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功率场效应管测试仪/MOS管测试仪 /MOS管分选仪/MOS管配对仪 深圳JK9610A场效应管测试仪 上海JK9610A场效应管测试仪 常州JK9610A场效应管测试仪 JK9610A场效应管测试仪价格 JK9610A场效应管测试仪销售 JK9610A场效应管测试仪参数 JK9610A场效应管测试仪报价 一、概述 JK9610A型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称 电流约在2-85A,功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采 用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围:1—100 。 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试:(见下面介绍)。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。 四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。 测试实例 型号 击穿电压 Vdss 开启电压 Vgs(th) 跨导S Gfs Gfs 测试电流 标称电流 ID 标称功率 PD 封装 IRF640 基本参数 200V 2-4V ≥6.8 11A 18A 150W TO-220 实测参数 225V 3.0V 12 11A IRF1010 基本参数 60V 2-4V ≥69 50A 84A 200W TO-220 实测参数 66V 3.2V 67 50A IRF3205 基本参数 55V 2-4V ≥44 62A 110A 200W TO-220 实测参数 60V 2.9V 68 60A FQP70N08 基本参数 80V 2-4V 41 35A 70A 155W TO-220 实测参数 86V 3.2V 46 35A 75NF75 基本参数 75V 2-4V 20 40A 80A 300W TO-220 实测参数 81V 3.6V 52 40A IRFP064 基本参数 55V 2-4V ≥42 59A 110A 200W TO-3P 实测参数 67V 2.5V 57 60A 2SK1120 基本参数 1000V 2.5-5V 4 4A 8A 150W TO-3P 实测参数 1086V 2.3V 5 4A G160N60 基本参数 600V 3.5-6.5V * 80A 160A 250W TO-247 实测参数 626V 3.9V 35 60A H40T120 基本参数 1200V 5-6.5V 21 40A 75A 270W TO-247 实测参数 1390V 5.7V 20 40A 60N170D 基本参数 1700V 3.5-7.5V 60A 200W TO-247 实测参数 1798V 4.8V 30 60A JK9610AMOS管测试盒
一、概述 MOS-1型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称电流约在2-100A,功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围:1—100 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试:(见下面介绍)。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。
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