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JK9612 /JK-9612 MOS管测试仪
| 价 格： | 电议 | |
| 型 号： | JK9612 /JK-9612 |
|
| 企业类型: | 贸易商 | |
| 新旧程度: | 二手 | |
| 说明书下载 ： | JK9612 /JK-9612 MOS管测试仪 |
一、简介
主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选。
1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、高效、宁静。采用国际先进脉冲测量法，可以提供10A~最大75A以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用最大电流测量小容量管子，也不会损害被测管。
4、您可以按需要设定分选参数范围。可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、使用简单，不需要专业知识。
二、主要指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron 1~999mΩ (超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
跨导Gfs 0~99.9S
开启电压Ut 1~7.5V
极间电容Cir 0.1~9.9 (np)
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
a、Cir 1% nP精度；
b、Ut 1%V 精度；
c、测量Ron时的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED显示。
4、采用工业开关电源，可以在160V~230V 正常工作。
三、机箱：
采用铝合金冷拉型板为框架，支脚可调。工作台有220和3P插座。面板设有容量选择，以及220/3P选择。
四、测量实例： （测试条件可以按辅助键得到）
例1：IRF3205
Ron 5m欧 测试条件：Ids=74.6A,Vds=0.44V
Cir 3.14nP 测试条件：Vgs=0,Vds=10V
Ut 2.91V 测试条件：Vds=10V,Ids=1mA
Gfs 27.9S 测试条件：Ids=35.5A，Vds=6.44V，Vgs=5.15V
供应商
深圳市新利达仪器仪表有限公司
精品推荐
JK9610A场效应管测试仪
信息内容：功率场效应管测试仪/MOS管测试仪 /MOS管分选仪/MOS管配对仪 深圳JK9610A场效应管测试仪 上海JK9610A场效应管测试仪 常州JK9610A场效应管测试仪 JK9610A场效应管测试仪价格 JK9610A场效应管测试仪销售 JK9610A场效应管测试仪参数 JK9610A场效应管测试仪报价 一、概述 JK9610A型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称 电流约在2-85A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采 用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围：1—100 。 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。 四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。 测试实例 型号 击穿电压 Vdss 开启电压 Vgs(th) 跨导S Gfs Gfs 测试电流 标称电流 ID 标称功率 PD 封装 IRF640 基本参数 200V 2-4V ≥6.8 11A 18A 150W TO-220 实测参数 225V 3.0V 12 11A IRF1010 基本参数 60V 2-4V ≥69 50A 84A 200W TO-220 实测参数 66V 3.2V 67 50A IRF3205 基本参数 55V 2-4V ≥44 62A 110A 200W TO-220 实测参数 60V 2.9V 68 60A FQP70N08 基本参数 80V 2-4V 41 35A 70A 155W TO-220 实测参数 86V 3.2V 46 35A 75NF75 基本参数 75V 2-4V 20 40A 80A 300W TO-220 实测参数 81V 3.6V 52 40A IRFP064 基本参数 55V 2-4V ≥42 59A 110A 200W TO-3P 实测参数 67V 2.5V 57 60A 2SK1120 基本参数 1000V 2.5-5V 4 4A 8A 150W TO-3P 实测参数 1086V 2.3V 5 4A G160N60 基本参数 600V 3.5-6.5V * 80A 160A 250W TO-247 实测参数 626V 3.9V 35 60A H40T120 基本参数 1200V 5-6.5V 21 40A 75A 270W TO-247 实测参数 1390V 5.7V 20 40A 60N170D 基本参数 1700V 3.5-7.5V 60A 200W TO-247 实测参数 1798V 4.8V 30 60A JK9610AMOS管测试盒
惠州MOS-1型功率场效应管测试仪
信息内容：一、概述 MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围：1—100 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。
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