所属城市:西安市
[供应积分:74 采购积分:184]联系人: 杨 先生
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| 价 格: | 10000 | |
| 型 号: | YB580 |
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| 品牌/商标: | 谊邦电子 | |
| 企业类型: | 制造商 | |
| 新旧程度: | 全新 | |
| 原产地: | 陕西西安 |
我公司科研人员经过连续技术攻关, 在原有YB6500高端半导体分立器件自动测试系统基础上, 自行研发出国内首台igbt测试仪,圆满解决了功率IGBT等新型半导体器件的全参数测试难题,填补了国内在半导体自动测试领域的空白,该项产品综合技术指标达到国际领先水平。
该产品可测IGBT参数包括了ICES, BVCES, IGESF, IGESR, VGETH, VGEON, VCESAT, ICON,VF, GFS,r CE等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证0.5%以内重复测试精度, 达到目前国外进口同类产品领先水平。
绝缘栅晶体管、IGBT测试参数及精度
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电参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
精度 |
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ICES IGESF IGESR |
0.10V- 2000V 0.10V - 20V(80V)(2) |
100nA(100pA)(1) - 50mA 100nA(100pA)(1)- 3A |
1nA(50pA)(1) |
1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)(1) |
|
BVCES |
0.1V-1000V- 1400V - 1600V |
100μA - 200mA -100mA -50mA |
5mV |
1%+100mV |
|
VGETH |
0.10V- 20.0V(80V)(2) |
100nA- 3A |
5mV |
1%+10mV |
|
VCESAT ICON VGEON VF GFS(混合参数) |
VCE: 0.10V- 5.00V - 9.99V VGE、VF: 0.10V - 9.99V |
IC: 10μA-1250A - 1250A IGE、IF: 100nA - 10A |
5mV |
V: 1%+10mV IC,IF: 1%+100nA IGE: 1%+5nA |
(1) 需要YB550选件
(2) 需要栅极80V选件
该产品可针对目前封装的多单元IGBT特征, 根据用户需要提供
主要特征简述:
1、YB半导体分立器件测试仪是我公司从国外引进的国产化项目。产品目前已通过国内两家计量站的综合检测认定。经过与国内其他测试系统对比使用,YB测试系统在系统硬件的可靠性、稳定性、功率范围、测试范围、系统测试精度、测试参数的一致性等多项指标已远远超过国内产品。 YB测试系统目前是国内高端最好的半导体分立器件测试测试仪器。
2、作为精密仪器引进项目,YB系统严格按照国军标产品之标准,全部选用优质可靠的元器件。系统严格按照军用整机检验标准进行测试检验,确保系统的稳定性和可靠性。YB所使用的各种继电器,全部采用国外名牌公司生产的水银继电器,从而大大提高了系统的测试速度,提高了系统的使用寿命。
3、服务周到是我公司的优势之一。选用YB系统,享受YB服务,我们的服务可以在一小时内答复解决方案,到达用户现场当天解决系统出现的所有问题。
4、YB在实际操作中,可真实达到电压2000V、电流50A的测试条件。在极限值条件下测试,系统同样保持高精度和良好的重复性、稳定性。此项指标远远领先于国内其他产品。
5、本系统测试原理和方法符合国家相关规范和标准。
6、大功率器件测试采用脉冲法测试,脉冲宽度为规定的300uS。
7、系统硬件设计先进,升级能力强。为用户今后做系统升级提供了有力的技术保障。系统硬件支持电压升级到5000V,电流升级到1250A。
8、系统采用先进的嵌入式计算机结构,可以实现脱机测试功能。提高了系统的可靠性和使用灵活性。
9、YB系统和测试夹具全部采用多级开尔文技术,采用无电缆连接设计结构,保证测试结果准确可靠。各种测试夹具均由高级器件插座和高级插头采用开尔文技术连接装配,不仅确保长寿命工作,可靠性极高,无故障使用寿命在5X106次以上。使测试数据更加准确无误。
10、系统具有被测器件引腿接触自动判断功能。遇到器件接触不良时系统自动停止对被测器件测试,可确保被测器件不受损坏。
11、真正的动态跨导测试。(国内其他系统采用直流方法测动态跨导,测试结果与器件实际值偏差很大)。
12、二极管极性自动判别测试功能,不需人工判别极性测试,方便操作。
13、具有单参数测试延时编程功能,用户可根据不同器件要求选择延迟时间,增强参数测试稳定性。
14、丰富的WINDOWS界面菜单编程和控制能力,方便的用户信息文件、统计文件方式,可以给出批次测试失效数量、合格数量,按实测指标分类器件数量。测试结果可以给出excel等多种形式。
15、96个程序步,99种分类。
16、混合参数编程方式(参数测试编程不受器件类别限制),可以对同一器件选用不同类别器件的参数进行编程,大大的扩展系统测试能力,对被测器件进行测试和分析,软件使用方便灵活。自动/固定量程测试功能,选用自动量程时,系统根据实测范围自动调整以达到最高测试精度。内部设有可选择的电流型负载和阻型负载。
17、阻型负载:机内设有不同阻值的电阻负载供选择。
18、电流型负载:机内设有不同档位的恒流源负载供选择。
19、用户可以按照参数要求,自己设定参数自动分档功能,以便把不同参数的器件自动加以区分、配对提高器件使用价值。
20、高速参数测试和存储功能,参数分析能力。平均每参数测试时间只有1毫秒。
21、在线系统故障判断修复能力,便于用户应急处理排除故障。
22、自检、自校准功能。系统提供自检测试程序和夹具。系统故障自动判别到器件级。自校准功能可将系统误差存入内置计算机,不需人工校准即可实现精确测试。
23、错误信息提示和在线帮助,面板显示被测器件不合格参数和单步实测参数值。在线帮助是在线提示用户如何简便使用该测试系统。
24、测试结果计算功能,系统可以将任意测试程序步的测试结果进行计算,形成新的测试结果,方便用户进行分析,解决、扩展特殊参数的测试可以将测试程序中任意步的测试结果进行计算,形成新的测试结果,方便用户对器件进行分析。
25、单步测试功能,用于对单个参数进行测试,同时将测试结果值在前面板上显示,方便用户分析。
26、测试结果分档功能:用户可以按照参数要求,设定参数自动分档功能,系统把不同参数的器件自动加以区分、配对,提高器件使用价值。
27、机械手、探针台、多终端、可选扫描、多路阵列扩展测试能力。
28、可进行实时运算,允许测试结果比较与数值计算。
29、功率源选用国际久经验证的电源线路,结合航天电源设计经验,在此基础上形成具有自主产权的功率源发明专利技术。
30、系统设计综合美国、日本多种先进结构技术。
31、承诺确保系统使用寿命可以达到十年以上,系统功能正常,参数指标符合出厂标准。
上述只列出该系统的部分常用特征。其它多种综合处理能力在使用中可以不断开发扩大。可根据用户测试使用的要求,方便地选通其他特征。
功率场效应管测试仪/MOS管测试仪 /MOS管分选仪/MOS管配对仪 深圳JK9610A场效应管测试仪 上海JK9610A场效应管测试仪 常州JK9610A场效应管测试仪 JK9610A场效应管测试仪价格 JK9610A场效应管测试仪销售 JK9610A场效应管测试仪参数 JK9610A场效应管测试仪报价 一、概述 JK9610A型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称 电流约在2-85A,功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压 VDSS、栅极开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采 用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对场效 应管进行参数一致性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性 能十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器 主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型 测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围:1—100 。 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试:(见下面介绍)。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。 四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。 测试实例 型号 击穿电压 Vdss 开启电压 Vgs(th) 跨导S Gfs Gfs 测试电流 标称电流 ID 标称功率 PD 封装 IRF640 基本参数 200V 2-4V ≥6.8 11A 18A 150W TO-220 实测参数 225V 3.0V 12 11A IRF1010 基本参数 60V 2-4V ≥69 50A 84A 200W TO-220 实测参数 66V 3.2V 67 50A IRF3205 基本参数 55V 2-4V ≥44 62A 110A 200W TO-220 实测参数 60V 2.9V 68 60A FQP70N08 基本参数 80V 2-4V 41 35A 70A 155W TO-220 实测参数 86V 3.2V 46 35A 75NF75 基本参数 75V 2-4V 20 40A 80A 300W TO-220 实测参数 81V 3.6V 52 40A IRFP064 基本参数 55V 2-4V ≥42 59A 110A 200W TO-3P 实测参数 67V 2.5V 57 60A 2SK1120 基本参数 1000V 2.5-5V 4 4A 8A 150W TO-3P 实测参数 1086V 2.3V 5 4A G160N60 基本参数 600V 3.5-6.5V * 80A 160A 250W TO-247 实测参数 626V 3.9V 35 60A H40T120 基本参数 1200V 5-6.5V 21 40A 75A 270W TO-247 实测参数 1390V 5.7V 20 40A 60N170D 基本参数 1700V 3.5-7.5V 60A 200W TO-247 实测参数 1798V 4.8V 30 60A JK9610AMOS管测试盒
一、概述 MOS-1型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称电流约在2-100A,功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试(配对);仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。 二、主要技术性能 1、击穿电压VDSS测量范围: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。 2、IDSS可分三挡选择: 1mA、250uA、25uA 。 3、栅极开启电压VGS(th) 测量范围: 0—10V。 精度:≤5% 。 4、Gfs跨导测试电流Idm:不小于1—50 A连续可调, 精度:≤10 % 。 5、Gfs跨导测试范围:1—100 三、主要测试功能 1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。 2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。 3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试,可用于配对。 4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试:(见下面介绍)。 5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。 6、压敏电阻电压的测试等。四、测试盒与测试线 1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。 2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。
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