Tesla 解决了薄晶圆、功耗以及电流/电压要求的难题
功率半导体的广泛使用迫切需要对功率器件进行快速而的特性描述。Cascade Microtech 的新型 Tesla 晶圆上功率器件特性描述系统满足了这一需求，从而缩短了新型功率器件的面市时间。Tesla 是业界功率器件测量系统，它提供了一款用于在 400A的电流和 3000V 的电压条件下进行功率半导体的过热、低接触电阻测量的完整晶圆上解决方案。该新系统采用了两款新型晶圆探针和一种的晶圆吸盘技术。
高电流参数（HCP）探针专为满足 Rds(on) 测量要求而设计。的设计限度地抑制了探针至晶圆触点上的热失控，并支持 10A（在连续模式中）和 60A（在脉动模式中）的电流。
高电压参数（HVP）探针在 3000V 的电压条件下实现了漏电流 1pA 的击穿电压测量。
Exclusive Vacuchannel? 吸盘技术运用针对薄晶圆（薄至 100μm）的传送方法满足了当今功率器件晶圆的需要。此外，Vacuchannel 技术传送功率耗散器件的方式也不同于市面上现有的其他解决方案，实现了功耗 75W 的器件的晶圆上测量。
