MOS-1场效应管测试仪

一、概述

    MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；仪器完全可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分优越的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。

二、主要技术性能

1、击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。

2、IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。

3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。

4、Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。

5、Gfs跨导测试范围：1—100

三、主要测试功能

1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。

2、IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。

3、功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。

4、对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。

5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。

6、压敏电阻电压的测试

四、测试盒与测试线

1、利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。

2、利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

    即使你使用的场效应管标称电流和功率远大于本仪器所定的100A/300W，本仪器同样可以在50A的条件

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